Samsung anuncia HBM4E para 2027, buscando liderar en memory bandwidth
Na última edição do OCP Global Summit 2025, a Samsung Electronics revelou seus planos para a memória de alto largura de banda HBM4E, visando alcançar uma incrível taxa de transferência de 3,25 TB/s até 2027. O novo modelo será composto por 2.048 pinos de entrada/saída (E/S), cada um operando a velocidades superiores a 13 Gbps. Esta nova tecnologia representa um aumento de 2,5 vezes em relação ao modelo HBM3E atualmente disponível.
A competição no setor de memória tem se intensificado, traçando um cenário de crescente demanda por soluções que atendam às necessidades robustas da inteligência artificial (IA). A Samsung, reconhecendo que a velocidade é crucial para o desempenho das GPUs e aceleradores de IA, está determinada a recuperar sua posição de liderança, especialmente após o avanço da SK hynix que já havia promovido a HBM3E.
Em janeiro de 2025, a Samsung havia estabelecido um objetivo de 10 Gbps por pino para HBM4, uma resposta à exigência da NVIDIA, o maior comprador de HBM, que previa aumentos na demanda. Agora, com um foco em eficiência, a empresa promete mais que o dobro na eficiência energética em relação ao HBM3E, reduzindo o consumo de energia para menos de 3,9 pJ/bit.
O impacto dessa inovação é significativo, especialmente em um momento em que a IA generativa e o treinamento de Modelos de Linguagem de Grande Escala (LLMs) criaram um estrangulamento no uso da memória. Quanto maior a taxa de transferência, menos esperas entre as GPUs e os dados, resultando em um throughput maior e latências reduzidas.
No panorama competitivo, SK hynix e Micron também avançam com suas propostas. O desafio para essas empresas será manter a qualidade e a produção conforme a demanda por memória de alta velocidade continua a crescer. A corrida por HBM4E mostra que a guerra pela velocidade está apenas começando, com todos os fabricantes ajustando suas estratégias para atender a um mercado em rápida evolução.
Além de HBM4E, a Samsung destacou também o desenvolvimento de sua nova memória LPDDR6 e a fabricação em um novo processo de 2 nm, ampliando seu portfólio em um momento em que a nova geração de soluções de memória se torna essencial para suportar as demandas de IA, sendo um aviso claro para os competidores sobre sua determinação em não apenas participar, mas dominar este setor vital.
