Imec Avança na Inovação com Tecnologia de GaN em Obleas de 300 mm
O Imec, renomado centro de pesquisa e desenvolvimento em nanoeletrônica, anunciou um avanço significativo em seu programa de inovação aberta, focando na tecnologia de nitreto de gálio (GaN) em obleas de 300 mm. Essa iniciativa é parte do Industrial Affiliation Program (IIAP) e visa não apenas reduzir custos, mas também ampliar as capacidades do GaN nas aplicações de eletrônica de potência.
A transição de obleas de 200 mm para 300 mm promete maior eficiência em diversas áreas, como conversores ponto-a-ponto para CPUs e GPUs, carregadores a bordo em veículos elétricos e sistemas de distribuição elétrica para telecomunicações e centros de dados. O movimento é apoiado por um robusto ecossistema de parceiros, incluindo AIXTRON, GlobalFoundries, KLA Corporation, Synopsys e Veeco, que trabalharão juntos para implementar soluções abrangentes desde a epitaxia até o empacotamento.
O GaN tem se destacado como uma alternativa promissora ao silício, oferecendo maior densidade de potência e eficiência de conversão, o que se traduz em produtos menores e mais leves. A mudança para obleas de 300 mm não é apenas uma questão de capacidade, mas também de acesso a equipamentos e metodologias avançadas, permitindo a produção de dispositivos laicos mais escaláveis e com um melhor rendimento.
O diretor do programa de GaN no Imec, Stefaan Decoutere, ressaltou que as vantagens da nova tecnologia vão além do aumento de escala, possibilitando o desenvolvimento de dispositivos de potência mais sofisticados. O foco inicial está na criação de uma plataforma base para alta e baixa tensão, utilizando silício 300 mm e sustratos compatíveis com CMOS, mantendo a integridade e a eficiência dos vários processos envolventes.
Com um cronograma que prevê a instalação das capacidades de 300 mm em sua sala limpa até o final de 2025, o Imec está se preparando para solidificar sua presença no setor, promovendo não apenas a inovação tecnológica, mas também contribuindo para a descarbonização e eletrificação em larga escala. Os primeiros produtos esperados incluem dispositivos de GaN de baixa tensão, com otimizações que prometem revolucionar a eficiência elétrica em diversos setores.
